Our group investigates fundamental problems in semiconductor devices, polymers, and biology using surface analysis techniques.
EC4017 TEL: (07)525-2000 ＃4440
RESEARCH FACILITIES
Surface Analysis ( XPS、AES、ToF-SIMs )、Basis Analysis ( XRD、SEM、MCR、other)
SURFACE ANALYSIS INSTRUMENT
RESEARCH CENTER FOR APPLIED SCIENCES
本實驗室長期透過表面分析技術，針對次微米/奈米等級的樣品進行鑑定，透過使用各類行表面分析儀器，對次微米/奈米等級樣品進行全方面研究。
XPS ( X-ray Photoelectron Spectroscopy ) 提供化學組態分析及精準定量(0.1 at%) ；
AES ( Auger Electron Spectroscopy ) 提供微區元素分部及高空間解析度( < 10 um) ；
ToF-SIMS (Time-of- Flight Secondary Ion Mass Spectrometry ) 提供不同離子源(Ar+.C60+.Ar+GCIB ) 獲得深度資訊及精準定性能力 ( ppb ) 。
SCANNING ELECTRON MICROSCOPE (SEM)
KCT PHENOM PRO
SEM是一種電子顯微鏡，透過加熱燈絲使其表面電子跨越能量障礙後形成自由電子，再透過聚焦電子成束掃描樣品表面，藉由偵測二次電子，分析物體的表面形貌。
本實驗室之SEM規格:
Source: 六硼化鑭(LaB6)
倍率: 30k up
模式: BSD、SED
載台: 平面 、45度、旋轉
Holder: 低真空、 高真空
配備耗材:
鍍金機
碳膠帶
銅膠帶
X-RAY DIFFRACTOMETER ( XRD )
RIGAKU MINIFLEX
XRD利用加速電子撞擊金屬靶材，使其產生 X 射線照射在材料表面上，藉由X射線於樣品內部產生繞射來決定其晶體結構。
不同晶體結構有晶面間距(d)的差異，當X光射入角度滿足布拉格定律(Bragg’s law) 2dhkl sinθ=nλ時發生建設性干涉，探測器(detector)則接收繞射光束訊號，繞射峰位置(2θ)與繞射鋒強度提供了晶胞形狀、晶粒大小及對稱性等資訊。
本實驗室之XRD規格:
靶材: 銅靶
額定電壓/電流量:40kV、15nA
偵測器模式: 1D
掃瞄範圍: 20mm*20mm
掃描樣品:粉體、薄膜、塊材
MODULAR COMPACT RHEOMETER ( MCR )
ANTON PAAR MCR 302
待完成
MANUFACTURING PROCESS INSTRUMENT
本實驗室擁有
1.有機光電材料(鈣鈦礦等)合成所需之手套箱、旋塗機。
2.大氣電漿
3.下沉式光固化3D列印機
4.紫外光臭氧清洗機
5.雷射切割機/導電薄膜圖樣化機台
6.蒸鍍機
7.濺鍍機
8.UV/vis
9.PL