XRD利用加速電子撞擊金屬靶材，使其產生 X 射線照射在材料表面上，

藉由X射線於樣品內部產生繞射來決定其晶體結構。

不同晶體結構有晶面間距(d)的差異，當X光射入角度滿足布拉格定律(Bragg’s law) 2dhkl sinθ=nλ時發生建設性干涉，探測器(detector)則接收繞射光束訊號，繞射峰位置(2θ)與繞射鋒強度提供了晶胞形狀、晶粒大小及對稱性等資訊。

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本實驗室之XRD規格:

靶材: 銅靶

額定電壓/電流量:40kV、15nA

​偵測器模式: 1D

​掃瞄範圍: 20mm*20mm

​掃描樣品:粉體、薄膜、塊材

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